Datasheet ON Semiconductor H11F1M — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | H11F1M |
| Модель | H11F1M |
6-контактный DIP-двусторонний аналоговый оптопара с выходом на полевых транзисторах
Datasheets
Datasheet H11F1M, H11F2M, H11F3M
PDF, 341 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 авг 2023, Страниц: 10
Photo FET Optocouplers
Photo FET Optocouplers
Выписка из документа
Цены
 Купить H11F1M на РадиоЛоцман.Цены — от 102 до 915 ₽30 предложений от 16 поставщиков Оптоизолятор 7.5кВ фотоэлектрический с полевым транзистором 6-DIP | |||
| H11F1M ON Semiconductor | 270 ₽ | ||
| H11F1M DIP-6 | 448 ₽ | ||
| H11F1M Freescale | по запросу | ||
| H11F1M ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Серия H11FXM состоит из излучающего диода IRED на основе галлия-алюминия-арсенида, соединенного с симметричным двусторонним кремниевым фотодетектором.
Детектор электрически изолирован от входа и работает как идеальный изолированный полевой транзистор, разработанный для без искажений управления аналоговыми сигналами переменного и постоянного тока низкого уровня. Устройства серии H11FXM монтируются в двухрядных корпусах.
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Классификация производителя
- Interfaces > High Performance Optocouplers > Specific Function Optocouplers
