Datasheet Nexperia SI2302DS,215 — Даташит
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
Цены
![]() 13 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A | |||
SI2302DS,215 NXP | 9.78 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | 16 ₽ | ||
SI2302DS.215 Microchip | по запросу | ||
SI2302DS.215 MCC | по запросу |
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
- SI2302DS,215 SI2302DS/G,215
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
Варианты написания:
SI2302DS215, SI2302DS 215