Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet Nexperia SI2302DS,215 — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияSI2302DS
МодельSI2302DS,215
Datasheet Nexperia SI2302DS,215

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS

Datasheets

Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
12 предложений от 12 поставщиков
N-Channel 20 V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
727GS
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
9.96 ₽
Augswan
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
по запросу
SUV System
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
по запросу
SI2302DS.215
Microchip
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Режим улучшения N-канала логического уровня.

Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.

Этот продукт был удален.

Модельный ряд

Серия: SI2302DS (2)

Классификация производителя

  • MOSFETs > Small signal MOSFETs

Варианты написания:

SI2302DS215, SI2302DS 215

На английском языке: Datasheet Nexperia SI2302DS,215

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка