Datasheet Nexperia SI2302DS — Даташит
Производитель | Nexperia |
Серия | SI2302DS |

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
Цены
![]() 29 предложений от 25 поставщиков МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A | |||
SI2302DS-T1-GE3 | 2.88 ₽ | ||
SI2302DS,215N NXP | по запросу | ||
SI2302DS/022P MCC | по запросу | ||
SI2302DS.215 Microchip | по запросу |
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs