Datasheet Nexperia SI2302DS — Даташит
| Производитель | Nexperia | 
| Серия | SI2302DS | 

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
 Купить SI2302DS на РадиоЛоцман.Цены — от 0.93 до 65 ₽34 предложений от 26 поставщиков MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23. N-Channel 20V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23). Transistors - FETs, MOSFETs - Single...  | |||
| SI2302DS-T1-GE3-ES | 0.93 ₽ | ||
| SI2302DS-T1-GE3 | 2.17 ₽ | ||
| SI2302DS/G Philips  | от 16 ₽ | ||
| SI2302DS-T1-E3 Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
 

Купить SI2302DS на РадиоЛоцман.Цены




