Datasheet Nexperia SI2302DS — Даташит
Производитель | Nexperia |
Серия | SI2302DS |

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
![]() 30 предложений от 24 поставщиков Транзисторы и сборки MOSFET | |||
SI2302DS NXP | 7.11 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | 7.11 ₽ | ||
SI2302DS-T1 | 65 ₽ | ||
SI2302DS | по запросу |
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs