Электромагнитные зуммеры KEEN SIDE

Datasheet Nexperia SI2302DS — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияSI2302DS
Datasheet Nexperia SI2302DS

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS

Datasheets

Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа
34 предложений от 26 поставщиков
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23. N-Channel 20V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23). Transistors - FETs, MOSFETs - Single...
Microfind
Россия
SI2302DS-T1-GE3-ES
0.93 ₽
Элрус
Россия
SI2302DS-T1-GE3
2.17 ₽
SI2302DS/G
Philips
от 16 ₽
Augswan
Весь мир
SI2302DS-T1-E3
Vishay
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Режим улучшения N-канала логического уровня.

Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.

Этот продукт был удален.

Модельный ряд

Серия: SI2302DS (2)

Классификация производителя

  • MOSFETs > Small signal MOSFETs

На английском языке: Datasheet Nexperia SI2302DS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка