Источники питания Keen Side

Datasheet Nexperia SI2302DS — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияSI2302DS
Datasheet Nexperia SI2302DS

N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS

Datasheets

Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Выписка из документа

Цены

29 предложений от 25 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A
ЗУМ-СМД
Россия
SI2302DS-T1-GE3
2.88 ₽
SI2302DS,215N
NXP
по запросу
МосЧип
Россия
SI2302DS/022P
MCC
по запросу
SI2302DS.215
Microchip
по запросу

Подробное описание

Режим улучшения N-канала логического уровня.

Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.

Этот продукт был удален.

Модельный ряд

Серия: SI2302DS (2)

Классификация производителя

  • MOSFETs > Small signal MOSFETs

На английском языке: Datasheet Nexperia SI2302DS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка