Datasheet STGD3NB60SD-1 - STMicroelectronics Даташит IGBT, I-PAK — Даташит

Купить STGD3NB60SD-1 на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Кремний Россия и страны СНГ	STGD3NB60SD-1	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, I-PAK

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT - PowerMESH - Low Drop
• Max Voltage Vce Sat: 1.5 В
• Корпус транзистора: I-PAK
• Корпус: I-PAK
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Tf: 720 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Max Current Ic Continuous a: 3 А
• Power Dissipation: 48 Вт
• Power Dissipation Pd: 48 Вт
• Pulsed Current Icm: 25 А
• Rise Time: 150000 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STGD3NB60SD1, STGD3NB60SD 1