На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet STGD3NB60SD-1 - STMicroelectronics Даташит IGBT, I-PAK — Даташит

STMicroelectronics STGD3NB60SD-1

Наименование модели: STGD3NB60SD-1

5 предложений от 5 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Кремний
Россия и страны СНГ
STGD3NB60SD-1
по запросу
LifeElectronics
Россия
STGD3NB60SD-1
STMicroelectronics
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
STGD3NB60SD-1
STMicroelectronics
по запросу
Utmel
Весь мир
STGD3NB60SD-1
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, I-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT - PowerMESH - Low Drop
  • Max Voltage Vce Sat: 1.5 В
  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Корпус: I-PAK
  • Current Temperature: 25°C
  • Fall Time Tf: 720 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Max Current Ic Continuous a: 3 А
  • Power Dissipation: 48 Вт
  • Power Dissipation Pd: 48 Вт
  • Pulsed Current Icm: 25 А
  • Rise Time: 150000 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STGD3NB60SD1, STGD3NB60SD 1

На английском языке: Datasheet STGD3NB60SD-1 - STMicroelectronics IGBT, I-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России