Datasheet SGP30N60 - Infineon Даташит IGBT, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: SGP30N60
![]() 35 предложений от 22 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A | |||
SGP30N60XKSA1 Infineon | 130 ₽ | ||
G30N60HS (SGP30N60HS) | 258 ₽ | ||
SGP30N60 Infineon | от 451 ₽ | ||
SGP30N60XKSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, TO-220AB
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 41 А
- Max Voltage Vce Sat: 2.1 В
- Max Power Dissipation: 250 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- Корпус: TO-220AB
- Current Temperature: 25пїЅпїЅC
- Device Marking: SGP30N60
- Fall Time Tf: 70 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Max Current Ic Continuous a: 30 А
- Max Power Dissipation Ptot: 250 Вт
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 250 Вт
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Pulsed Current Icm: 116 А
- Rise Time: 40 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 95/25SA 220
- Multicomp - MK3306/S