Datasheet IXSR40N60BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXSR40N60BD1
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 170000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | |||
IXSR40N60BD1 IXYS | 876 ₽ | ||
IXSR40N60BD1 | по запросу | ||
IXSR40N60BD1 IXYS | по запросу | ||
IXSR40N60BD1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.2 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Корпус: ISOPLUS-247
- Fall Time Tf: 180 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.73°C/ Вт
- Max Current Ic Continuous a: 70 А
- Power Dissipation: 170 Вт
- Power Dissipation Pd: 170 Вт
- Pulsed Current Icm: 150 А
- Rise Time: 50 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Typ Fall Time: 180 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть