Datasheet IRGS8B60KPBF - International Rectifier Даташит Одиночный IGBT, 600 В, 28 А — Даташит
Наименование модели: IRGS8B60KPBF
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | |||
IRGS8B60KPBF Infineon | 136 ₽ | ||
IRGS8B60KPBF International Rectifier | 204 ₽ | ||
IRGS8B60KPBF | по запросу | ||
IRGS8B60KPBF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 28 А
Краткое содержание документа:
PD - 95645B
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· · · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Lead-Free.
IRGB8B60KPbF IRGS8B60KPbF IRGSL8B60KPbF
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- DC Collector Current: 28 А
- Количество выводов: 3
- Рассеиваемая мощность: 167 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да