Datasheet GT15Q301 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N) — Даташит
Наименование модели: GT15Q301
6 предложений от 6 поставщиков TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor | |||
| GT15Q301_06 Toshiba | по запросу | ||
| GT15Q301Q Toshiba | по запросу | ||
| GT15Q301 Toshiba | по запросу | ||
| GT15Q301 Toshiba | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N)
Скачать Data SheetСпецификации:
- Тип транзистора: HP SW IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
- Корпус транзистора: TO-3P (N)
- Количество выводов: 3
- Корпус: TO-3P (N)
- Max Current Ic Continuous a: 15 А
- Pin Format: GCE
- Power Dissipation: 170 Вт
- Power Dissipation Pd: 170 Вт
- Pulsed Current Icm: 30 А
- Rise Time: 50 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
