Клеммные колодки Keen Side

Datasheet GT20J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Toshiba GT20J301

Наименование модели: GT20J301

11 предложений от 11 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-3PN
Кремний
Россия и страны СНГ
GT20J301
по запросу
GT20J301
Toshiba
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
GT20J301
по запросу
GT20J301(Q)
Toshiba
по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: HP SW IGBT
  • Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
  • Корпус транзистора: TO-3P (N)
  • Количество выводов: 3
  • Корпус: TO-3P (N)
  • Max Current Ic Continuous a: 20 А
  • Pin Format: GCE
  • Power Dissipation Pd: 130 Вт
  • Pulsed Current Icm: 40 А
  • Rise Time: 120 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - AKK 191
  • Fischer Elektronik - FK 201SA-3
  • Fischer Elektronik - TF 3 2
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet GT20J301 - Toshiba IGBT, 600 V, TO-3P(N)

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка