Datasheet GT20J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит
Наименование модели: GT20J301
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-3PN | |||
GT20J301 | по запросу | ||
GT20J301 Toshiba | по запросу | ||
GT20J301 | по запросу | ||
GT20J301(Q) Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)
Спецификации:
- Тип транзистора: HP SW IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: TO-3P (N)
- Количество выводов: 3
- Корпус: TO-3P (N)
- Max Current Ic Continuous a: 20 А
- Pin Format: GCE
- Power Dissipation Pd: 130 Вт
- Pulsed Current Icm: 40 А
- Rise Time: 120 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5