Datasheet GT20J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит
Наименование модели: GT20J321
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Транзисторы с демонтажа. Исполнение: TO220F | |||
Категория < Транзисторы полевые , IGBT и модули >: GT20J321 Демонтаж Toshiba | 213 ₽ | ||
GT20J321 | 278 ₽ | ||
GT20J321 Toshiba | по запросу | ||
GT20J321 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.45 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220NIS
- Корпус: TO-220NIS
- Junction to Case Thermal Resistance A: 2.78°C/ Вт
- Max Current Ic Continuous a: 20 А
- Max Junction Temperature Tj: 150°C
- Power Dissipation: 45 Вт
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Pulsed Current Icm: 40 А
- Rise Time: 40 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Typ Fall Time: 40 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLPG 02
- Multicomp - MK3306