LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet GT20J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит

Toshiba GT20J321

Наименование модели: GT20J321

12 предложений от 11 поставщиков
TRANSISTOR 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
AliExpress
Весь мир
GT30F124 GT30F126 GT30F127 GT30F131 GT30F133 GT30F121 GT30F134 GT30F123 GT30F125 GT15J321 GT20J321 GT30J127 GT30J124
43 ₽
Десси
Россия
Категория < Транзисторы полевые , IGBT и модули >: GT20J321 Демонтаж
Toshiba
213 ₽
МосЧип
Россия
GT20J321(Q)
Toshiba
по запросу
Acme Chip
Весь мир
GT20J321
Toshiba
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • Max Voltage Vce Sat: 2.45 В
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
  • Корпус транзистора: TO-220NIS
  • Корпус: TO-220NIS
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 2.78°C/ Вт
  • Max Current Ic Continuous a: 20 А
  • Max Junction Temperature Tj: 150°C
  • Power Dissipation: 45 Вт
  • Power Dissipation Pd: 45 Вт
  • Pulsed Current Icm: 40 А
  • Rise Time: 40 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N
  • Typ Fall Time: 40 нс
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLPG 02
  • Multicomp - MK3306

На английском языке: Datasheet GT20J321 - Toshiba IGBT, 600 V, TO-220NIS

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России