Datasheet HGT1N40N60A4D - Fairchild Даташит IGBT, 600 В, 45 А — Даташит
Наименование модели: HGT1N40N60A4D
5 предложений от 5 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 4-Pin SOT-227 Rail | |||
| HGT1N40N60A4D Fairchild | по запросу | ||
| HGT1N40N60A4D Fairchild | по запросу | ||
| HGT1N40N60A4D ON Semiconductor | по запросу | ||
| HGT1N40N60A4D STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: IGBT, 600 В, 45 А
Скачать Data SheetСпецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: SOT-227
- SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- Корпус: SOT-227
- Max Current Ic Continuous a: 110 А
- Power Dissipation: 298 Вт
- Power Dissipation Pd: 298 Вт
- Pulsed Current Icm: 300 А
- Rise Time: 18 нс
- SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
