Datasheet IGP01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IGP01N120H2
![]() 16 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | |||
IGP01N120H2XKSA1 Infineon | 82 ₽ | ||
IGP01N120H2 Infineon | от 110 ₽ | ||
IGP01N120H2XKSA1 Infineon | 130 ₽ | ||
IGP01N120H2 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 3.2 А
- Max Voltage Vce Sat: 2.8 В
- Max Power Dissipation: 28 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- Корпус: TO-220
- Max Current Ic Continuous a: 1.3 А
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 28 Вт
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - MK3306