Datasheet IGP01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220 — Даташит

Купить IGP01N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 128 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Power Bipolar Transistor, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
T-electron Россия и страны СНГ	IGP01N120H2 Infineon	62 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IGP01N120H2XKSA1 Infineon	от 66 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IGP01N120H2 Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IGP01N120H2	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 3.2 А
• Max Voltage Vce Sat: 2.8 В
• Max Power Dissipation: 28 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-220
• SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
• Корпус: TO-220
• Max Current Ic Continuous a: 1.3 А
• Количество транзисторов: 1
• Power Dissipation: 28 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Multicomp - MK3306