Datasheet IGP01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IGP01N120H2
Купить IGP01N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 127 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Power Bipolar Transistor, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | |||
IGP01N120H2 Infineon | 63 ₽ | ||
IGP01N120H2XKSA1 Infineon | от 67 ₽ | ||
IGP01N120H2XKSA1 Infineon | 83 ₽ | ||
IGP01N120H2_07 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 3.2 А
- Max Voltage Vce Sat: 2.8 В
- Max Power Dissipation: 28 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- Корпус: TO-220
- Max Current Ic Continuous a: 1.3 А
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 28 Вт
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - MK3306