KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet SKW25N120 - Infineon Даташит IGBT, FAST — Даташит

Infineon SKW25N120

Наименование модели: SKW25N120

41 предложений от 23 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A
SKW25N120
Infineon
250 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SKW25N120
Infineon
308 ₽
ChipWorker
Весь мир
SKW25N120FKSA1
Infineon
1 156 ₽
LifeElectronics
Россия
SKW25N120PBF
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, FAST

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SKW25N120
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
· 40lower Eoff compared to previous generation · Short circuit withstand time ­ 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter G - SMPS · NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 · Qualified according to JEDEC for target applications · Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Type SKW25N120 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage DC collector current TC = 25°C TC = 100°C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax Turn off safe operating area VCE 1200V, Tj 150°C Diode forward current TC = 25°C TC = 100°C Diode pulsed current, tp limited by Tjmax Gate-emitter voltage Short circuit withstand time Power dissipation TC = 25°C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wavesoldering, 1.6mm (

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 46 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.6 В
  • Power Dissipation Max: 313 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
  • Корпус транзистора: TO-247AC
  • Количество выводов: 3
  • Current Ic @ Vce Sat: 25 А
  • Current Ic Continuous a Max: 46 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Device Marking: SKW25N120
  • Fall Time tf: 39 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Junction Temperature Tj Max: 150°C
  • Junction Temperature Tj Min: -55°C
  • Package / Case: TO-247AC
  • Power Dissipation: 313 Вт
  • Power Dissipation Pd: 313 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max: 313 Вт
  • Pulsed Current Icm: 84 А
  • Rise Time: 40 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N
  • Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SKW25N120 - Infineon IGBT, FAST

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России