Datasheet FGA120N30DTU - Fairchild Даташит IGBT, PDP, 300 В, TO-3P — Даташит

Купить FGA120N30DTU на РадиоЛоцман.Цены — от 113 до 10 512 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков IGBT 300V 120A 290W TO3P / Trans IGBT Chip N-CH 300V 120A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
Компонентс Ру Россия	FGA120N30DTU Fairchild	260 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FGA120N30DTU Fairchild	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FGA120N30DTU ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FGA120N30DTU ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, PDP, 300 В, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FGA120N30D 300V PDP IGBT
June 2006
FGA120N30D
300V PDP IGBT
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 120 А
• Max Voltage Vce Sat: 1.4 В
• Max Power Dissipation: 290 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 300 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
• Корпус: TO-3P
• Current Ic @ Vce Sat: 25 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Tf: 130 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.43°C/ Вт
• Max Current Ic Continuous a: 120 А
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Pin Configuration: With flywheel diode
• Power Dissipation: 290 Вт
• Power Dissipation Pd: 290 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Rise Time: 270 нс
• SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 300 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5