Datasheet FGA120N30DTU - Fairchild Даташит IGBT, PDP, 300 В, TO-3P — Даташит
Наименование модели: FGA120N30DTU
 Купить FGA120N30DTU на РадиоЛоцман.Цены — от 115 до 282 ₽13 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
| FGA120N30DTU ON Semiconductor | по запросу | ||
| FGA120N30DTU ON Semiconductor | по запросу | ||
| FGA120N30DTU Rochester Electronics | по запросу | ||
| FGA120N30DTU | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: IGBT, PDP, 300 В, TO-3P
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
FGA120N30D 300V PDP IGBT
June 2006
FGA120N30D
300V PDP IGBT
Features
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 120 А
- Max Voltage Vce Sat: 1.4 В
- Max Power Dissipation: 290 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 300 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- Корпус: TO-3P
- Current Ic @ Vce Sat: 25 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Tf: 130 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.43°C/ Вт
- Max Current Ic Continuous a: 120 А
- Max Junction Temperature Tj: 150°C
- Min Junction Temperature, Tj: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Pin Configuration: With flywheel diode
- Power Dissipation: 290 Вт
- Power Dissipation Pd: 290 Вт
- Pulsed Current Icm: 300 А
- Rise Time: 270 нс
- SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 300 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
