Datasheet FGA15N120ANTDTU - Fairchild Даташит IGBT, NPT, 1200 В, TO-3P — Даташит

Купить FGA15N120ANTDTU на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 510 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков БТИЗ транзистор, 30 А, 2.3 В, 186 Вт, 1.2 кВ, TO-3P, 3 вывод(-ов)
ChipWorker Весь мир	FGA15N120ANTDTU_F109 ON Semiconductor	84 ₽	Купить
727GS Весь мир	FGA15N120ANTDTU Rochester Electronics	130 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FGA15N120ANTDTU_F109 ON Semiconductor	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FGA15N120ANTDTU Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, NPT, 1200 В, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FGA15N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT
May 2006
FGA15N120ANTD
1200V NPT Trench IGBT
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 30 А
• Max Voltage Vce Sat: 2.4 В
• Max Power Dissipation: 186 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
• Корпус: TO-3P
• Current Ic @ Vce Sat: 15 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Tf: 100 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.67°C/ Вт
• Max Current Ic Continuous a: 30 А
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Pin Configuration: With flywheel diode
• Power Dissipation: 186 Вт
• Power Dissipation Pd: 186 Вт
• Pulsed Current Icm: 45 А
• Rise Time: 20 нс
• SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5