Datasheet FGA180N30DTU - Fairchild Даташит IGBT, TO-3P — Даташит

Купить FGA180N30DTU на РадиоЛоцман.Цены — от 327 до 28 948 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков , Trans IGBT Chip N-CH 300V 180A 480000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
ЭИК Россия	FGA180N30DTU Fairchild	804 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FGA180N30DTU ON Semiconductor	1 752 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FGA180N30DTU ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FGA180N30DTU	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FGA180N30D 300V PDP IGBT
June 2006
FGA180N30D
300V PDP IGBT
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 180 А
• Max Voltage Vce Sat: 1.4 В
• Max Power Dissipation: 480 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 300 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
• Корпус: TO-3P
• Current Ic @ Vce Sat: 40 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Tf: 140 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.26°C/ Вт
• Max Current Ic Continuous a: 180 А
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Pin Configuration: With flywheel diode
• Power Dissipation: 480 Вт
• Power Dissipation Pd: 480 Вт
• Pulsed Current Icm: 450 А
• Rise Time: 210 нс
• SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 300 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5