Datasheet FGA90N30TU - Fairchild Даташит IGBT, TO-3P — Даташит
Наименование модели: FGA90N30TU
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL | |||
FGA90N30TU ON Semiconductor | 93 ₽ | ||
FGA90N30TU Fairchild | 253 ₽ | ||
FGA90N30TU Fairchild | 256 ₽ | ||
FGA90N30TU Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: IGBT, TO-3P
Краткое содержание документа:
FGA90N30 300V PDP IGBT
September 2006
FGA90N30
300V PDP IGBT
Features
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 1.4 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 300 В
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Корпус: TO-3P
- Current Ic @ Vce Sat: 20 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Tf: 110 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.57°C/ Вт
- Max Current Ic Continuous a: 90 А
- Max Junction Temperature Tj: 150°C
- Min Junction Temperature, Tj: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 219 Вт
- Power Dissipation Pd: 219 Вт
- Pulsed Current Icm: 220 А
- Rise Time: 200 нс
- SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 300 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5