Datasheet GT10J303 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит
Наименование модели: GT10J303
9 предложений от 9 поставщиков N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) | |||
| GT10J303 Toshiba | по запросу | ||
| GT10J303(Q) | по запросу | ||
| GT10J303(Q) Toshiba | по запросу | ||
| GT10J303 Toshiba | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Спецификации:
- Тип транзистора: HP SW IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220NIS
- Корпус: TO-220NIS
- Max Current Ic Continuous a: 10 А
- Power Dissipation: 30 Вт
- Power Dissipation Pd: 30 Вт
- Pulsed Current Icm: 20 А
- Rise Time: 120 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Typ Fall Time: 150 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLPG 02
- Multicomp - MK3306
