Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SGH80N60UFDTU - Fairchild Даташит IGBT — Даташит

Fairchild SGH80N60UFDTU

Наименование модели: SGH80N60UFDTU

12 предложений от 12 поставщиков
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт
AiPCBA
Весь мир
SGH80N60UFDTU
Fairchild
136 ₽
Maybo
Весь мир
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor
1 444 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SGH80N60UFDTU
Fairchild
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGH80N60UFD
IGBT
SGH80N60UFD
Ultrafast IGBT
General Description

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 80 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
  • Power Dissipation Max: 195 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Ic Continuous a Max: 80 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Device Marking: SGH80N60UFDTU
  • Fall Time tf: 50 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case: TO-3P
  • Pin Format: GCE
  • Power Dissipation: 195 Вт
  • Power Dissipation Pd: 195 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max: 195 Вт
  • Pulsed Current Icm: 220 А
  • Rise Time: 50 нс
  • SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 129 50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 30
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SGH80N60UFDTU - Fairchild IGBT

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка