Datasheet IRGS4B60KPBF - International Rectifier Даташит IGBT, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRGS4B60KPBF
![]() 6 предложений от 6 поставщиков INFINEON IRGS4B60KPBF IGBT Single Transistor, 12 A, 2.5 V, 63 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | |||
IRGS4B60KPBF Infineon | 82 ₽ | ||
IRGS4B60KPBF Infineon | 98 ₽ | ||
IRGS4B60KPBF Infineon | 110 ₽ | ||
IRGS4B60KPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95643A
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· · · · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Lead-Free.
C
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.5 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Корпус: D2-PAK
- Max Current Ic Continuous a: 12 А
- Power Dissipation: 63 Вт
- Power Dissipation Pd: 63 Вт
- Pulsed Current Icm: 24 А
- Rise Time: 23 нс
- Termination Type: SMD
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02