Datasheet STGW30NC60VD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 40 А TO-247 — Даташит
Наименование модели: STGW30NC60VD
![]() 26 предложений от 17 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | |||
STGW30NC60VD STMicroelectronics | 361 ₽ | ||
STGW30NC60VD STMicroelectronics | 378 ₽ | ||
STGW30NC60VD STMicroelectronics | 456 ₽ | ||
STGW30NC60VD STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, N 600 В 40 А TO-247
Краткое содержание документа:
STGW30NC60VD
40 A, 600 V, very fast IGBT
Features
High current capability High frequency operation up to 50 KHz Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Description
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 80 А
- Max Voltage Vce Sat: 2.5 В
- Max Power Dissipation: 250 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Корпус: TO-247
- Max Current Ic Continuous a: 40 А
- Power Dissipation: 250 Вт
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Pulsed Current Icm: 100 А
- Rise Time: 11 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - K177-NA-403+BQ35
- Multicomp - MK3311