Источники питания KEEN SIDE

Datasheet STGW30NC60VD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 40 А TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STGW30NC60VD

Наименование модели: STGW30NC60VD

25 предложений от 14 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
T-electron
Россия и страны СНГ
STGW30NC60VD
STMicroelectronics
237 ₽
AiPCBA
Весь мир
STGW30NC60VD
STMicroelectronics
251 ₽
ChipWorker
Весь мир
STGW30NC60VD
STMicroelectronics
252 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STGW30NC60VD
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, N 600 В 40 А TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGW30NC60VD
40 A, 600 V, very fast IGBT
Features
High current capability High frequency operation up to 50 KHz Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Description

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 80 А
  • Max Voltage Vce Sat: 2.5 В
  • Max Power Dissipation: 250 Вт
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Корпус: TO-247
  • Max Current Ic Continuous a: 40 А
  • Power Dissipation: 250 Вт
  • Power Dissipation Pd: 250 Вт
  • Pulsed Current Icm: 100 А
  • Rise Time: 11 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Multicomp - K177-NA-403+BQ35
  • Multicomp - MK3311

На английском языке: Datasheet STGW30NC60VD - STMicroelectronics IGBT, N 600 V 40 A TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России