Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SGL50N60RUFDTU - Fairchild Даташит Одиночный IGBT, 600 В, 80 А — Даташит

Fairchild SGL50N60RUFDTU

Наименование модели: SGL50N60RUFDTU

12 предложений от 11 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-264 Tube
ЧипСити
Россия
SGL50N60RUFDTU
ON Semiconductor
339 ₽
AiPCBA
Весь мир
SGL50N60RUFDTU
ON Semiconductor
357 ₽
Контест
Россия
SGL50N60RUFDTU
1 594 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SGL50N60RUFDTU
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 80 А

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 600 В
  • DC Collector Current: 80 А
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SGL50N60RUFDTU - Fairchild SINGLE IGBT, 600 V, 80 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка