Datasheet IRG4BC10KDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 9 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRG4BC10KDPBF
![]() 24 предложений от 19 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | |||
IRG4BC10KDPBF Rochester Electronics | 52 ₽ | ||
IRG4BC10KDPBF Infineon | 71 ₽ | ||
IRG4BC10KDPBF | по запросу | ||
IRG4BC10KDPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 9 А, TO-220
Краткое содержание документа:
PD -94903
IRG4BC10KDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
C
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 9 А
- Max Voltage Vce Sat: 2.39 В
- Max Power Dissipation: 38 Вт
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Корпус: TO-220
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Tf: 210 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Max Current Ic Continuous a: 9 А
- Max Fall Time: 310 нс
- Min Short Circuit Withstand Time: 10Вµs
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 38 Вт
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Pulsed Current Icm: 18 А
- Rise Time: 32 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5