Datasheet IRG4RC10KDTRPBF - International Rectifier Даташит IGBT, COPAK, D-PAK — Даташит

Купить IRG4RC10KDTRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 224 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
727GS Весь мир	IRG4RC10KDTRPBF Infineon	от 22 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRG4RC10KDTRPBF Infineon	от 74 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IRG4RC10KDTRPBF, IGBT 600В 5А 8-25кГц DPak Infineon	153 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRG4RC10KDTRPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, COPAK, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95035
IRG4RC10KDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
· Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V · Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard TO-252AA package · Lead-Free
Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 9 А
• Max Voltage Vce Sat: 2.39 В
• Max Power Dissipation: 38 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• Alternate Case Style: TO-252
• Корпус: D-PAK
• Max Current Ic Continuous a: 9 А
• Power Dissipation: 38 Вт
• Power Dissipation Pd: 38 Вт
• Pulsed Current Icm: 18 А
• Rise Time: 24 нс
• Termination Type: SMD
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Fischer Elektronik - WLPG 02