Datasheet FGA90N30DTU - Fairchild Даташит IGBT, TO-3P — Даташит

Купить FGA90N30DTU на РадиоЛоцман.Цены — от 188 до 16 657 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins
Maybo Весь мир	FGA90N30DTU ON Semiconductor	204 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	FGA90N30DTU Fairchild	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FGA90N30DTU ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FGA90N30DTU ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FGA90N30D 300V PDP IGBT
September 2006
FGA90N30D
300V PDP IGBT
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• Max Voltage Vce Sat: 1.4 В
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 300 В
• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Корпус: TO-3P
• Current Ic @ Vce Sat: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Tf: 110 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.57°C/W
• Max Current Ic Continuous a: 90 А
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Pin Configuration: With flywheel diode
• Power Dissipation: 219 Вт
• Power Dissipation Pd: 219 Вт
• Pulsed Current Icm: 220 А
• Rise Time: 200 нс
• SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 300 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5