Datasheet GT15J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит

Купить GT15J321 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 55 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) TO-220NIS
727GS Весь мир	GT15J321 Toshiba	от 14 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	GT15J321 Toshiba	55 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	GT15J321(Q) Toshiba	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	GT15J321 Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT15J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15J321
High Power Switching Applications Fast Switching Applications
· · · · · · The 4th generation FS (fast switching) Enhancement-mode High speed: tf = 0.03 µs (typ.) Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector.

Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• Max Voltage Vce Sat: 2.45 В
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220NIS
• Корпус: TO-220NIS
• Junction to Case Thermal Resistance A: 4.16°C/W
• Max Current Ic Continuous a: 15 А
• Max Fall Time: 150 нс
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Power Dissipation: 30 Вт
• Power Dissipation Pd: 30 Вт
• Pulsed Current Icm: 30 А
• Rise Time: 40 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Typ Fall Time: 30 нс
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLPG 02