Datasheet GT15J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит

Купить GT15J321 на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 63 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
AliExpress Весь мир	GT30F124 GT30F126 GT30F127 GT30F131 GT30F133 GT30F121 GT30F134 GT30F123 GT30F125 GT15J321 GT20J321 GT30J127 GT30J124	43 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	GT15J321 Toshiba	63 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	GT15J321 Toshiba	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	GT15J321_06 Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT15J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15J321
High Power Switching Applications Fast Switching Applications
· · · · · · The 4th generation FS (fast switching) Enhancement-mode High speed: tf = 0.03 µs (typ.) Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector.

Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• Max Voltage Vce Sat: 2.45 В
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220NIS
• Корпус: TO-220NIS
• Junction to Case Thermal Resistance A: 4.16°C/W
• Max Current Ic Continuous a: 15 А
• Max Fall Time: 150 нс
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Power Dissipation: 30 Вт
• Power Dissipation Pd: 30 Вт
• Pulsed Current Icm: 30 А
• Rise Time: 40 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Typ Fall Time: 30 нс
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLPG 02