Datasheet GT30J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Toshiba GT30J301

Наименование модели: GT30J301

Купить GT30J301 на РадиоЛоцман.Цены — от 583 до 2 536 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 155000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN / N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Romstore Россия, Беларусь	GT30J301	от 583 ₽
AiPCBA Весь мир	GT30J301(Q) Toshiba	2 536 ₽
LIXINC Electronics Весь мир	GT30J301	по запросу
Augswan Весь мир	GT30J301 Toshiba	по запросу

Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT30J301
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT30J301
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed Low Saturation Voltage : tf = 0.30µs (Max.) : VCE (sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm

Спецификации:

Тип транзистора: HP SW IGBT
Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
Корпус транзистора: TO-3P (N)
Количество выводов: 3
Корпус: TO-3P (N)
Max Current Ic Continuous a: 30 А
Pin Format: GCE
Power Dissipation: 155 Вт
Power Dissipation Pd: 155 Вт
Pulsed Current Icm: 60 А
Rise Time: 120 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - TF 3 2
Fischer Elektronik - WLK 5