Datasheet SKM400GAL12V - Semikron Даташит Transistor — Даташит

Наименование модели: SKM400GAL12V
5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, IGBT Array & Module Transistor, 598A, 1.2kV, 940mV, SEMITRANS 3  | |||
| SKM400GAL12V Semikron  | 10 370 ₽ | ||
| SKM400GAL12V Semikron  | по запросу | ||
| SKM400GAL12V Semikron  | по запросу | ||
| SKM400GAL12V Semikron  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Transistor
Краткое содержание документа:
SKM400GAL12V
Absolute Maximum Ratings Symbol
IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 720 V VGE  20 V VCES  1200 V VGES tpsc Tj Inverse diode IF Tc = 25 °C Tc = 80 °C Tj = 125 °C Tj = 25 °C Tj = 175 °C Tc = 25 °C Tc = 80 °C 1200 612 467 400 1200 -20 ...
20 10 -40 ... 175 440 329 400 IFRM = 3xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 1200 1980 -40 ... 175 Tc = 25 °C Tc = 80 °C 440 329 400 IFRM = 3xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 1200 1980 -40 ... 175 Tterminal = 80 °C AC sinus 50Hz, t = 1 min 500 -40 ... 125 4000 V A A A A V µs °C A A A A A °C A A A A A °C A °C V
Conditions
Values
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
 - DC Collector Current: 598 А
 - Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
 - Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.94 В
 - Количество выводов: 7
 - Package/Case: SEMITRANS 3
 
RoHS: есть

Купить SKM400GAL12V на РадиоЛоцман.Цены




