Datasheet SKM50GB12V - Semikron Даташит Transistor — Даташит
Наименование модели: SKM50GB12V
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SKM50GB12V IGBT Array & Module Transistor, 79A, 1.2kV, 940mV, SEMITRANS 2 | |||
SKM50GB12V Semikron | 3 352 ₽ | ||
SKM50GB12V Semikron | 3 488 ₽ | ||
SKM50GB12V Semikron | 4 001 ₽ | ||
SKM50GB12V Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Transistor
Краткое содержание документа:
SKM50GB12V
Absolute Maximum Ratings Symbol
IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 720 V VGE 15 V VCES 1200 V VGES tpsc Tj Inverse diode IF Tc = 25 °C Tc = 80 °C Tj = 125 °C Tj = 175 °C Tc = 25 °C Tc = 80 °C 1200 79 60 50 150 -20 ...
20 10 -40 ... 175 65 49 50 IFRM = 3xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 150 270 -40 ... 175 200 -40 ... 125 AC sinus 50Hz, t = 1 min 4000 V A A A A V µs °C A A A A A °C A °C V
Conditions
Values
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 79 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.94 В
- Количество выводов: 7
- Package/Case: SEMITRANS 2
RoHS: есть