Datasheet SKM600GA12V - Semikron Даташит Transistor — Даташит
Наименование модели: SKM600GA12V
![]() 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SKM600GA12V IGBT Array & Module Transistor, 890A, 1.2kV, 940mV, SEMITRANS 4 | |||
SKM600GA12V Semikron | 12 149 ₽ | ||
SKM600GA12V Semikron | 12 311 ₽ | ||
SKM600GA12V Semikron | 13 047 ₽ | ||
SKM600GA12V Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Transistor
Краткое содержание документа:
SKM600GA12V
Absolute Maximum Ratings Symbol
IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 720 V VGE 20 V VCES 1200 V VGES tpsc Tj Inverse diode IF Tc = 25 °C Tc = 80 °C Tj = 125 °C Tj = 25 °C Tj = 175 °C Tc = 25 °C Tc = 80 °C 1200 908 692 600 1800 -20 ...
20 10 -40 ... 175 707 529 600 IFRM = 3xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 1800 3240 -40 ... 175 80 °C AC sinus 50Hz, t = 1 min 500 -40 ... 125 4000 V A A A A V µs °C A A A A A °C A °C V
Conditions
Values
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 890 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.94 В
- Количество выводов: 5
- Package/Case: SEMITRANS 4
RoHS: есть