Datasheet SKM75GB12V - Semikron Даташит Transistor — Даташит
Наименование модели: SKM75GB12V
![]() 17 предложений от 13 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 114 А, 1.85 В, 175 °C, Module | |||
SKM75GB12V Semikron | 3 993 ₽ | ||
SKM75GB12V Semikron | 7 624 ₽ | ||
SKM75GB12V_11 Semikron | по запросу | ||
SKM75GB12V Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Transistor
Краткое содержание документа:
SKM75GB12V
Absolute Maximum Ratings Symbol
IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 720 V VGE 20 V VCES 1200 V VGES tpsc Tj Inverse diode IF Tc = 25 °C Tc = 80 °C Tj = 125 °C Tj = 25 °C Tj = 175 °C Tc = 25 °C Tc = 80 °C 1200 114 87 75 225 -20 ...
20 10 -40 ... 175 97 73 75 IFRM = 3xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 225 430 -40 ... 175 80 °C AC sinus 50Hz, t = 1 min 200 -40 ... 125 4000 V A A A A V µs °C A A A A A °C A °C V
Conditions
Values
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 121 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.94 В
- Количество выводов: 7
- Package/Case: SEMITRANS 2
RoHS: есть