Datasheet HGTG18N120BN - Fairchild Даташит IGBT, 1200 В, 36 А — Даташит

Купить HGTG18N120BN на РадиоЛоцман.Цены — от 0.61 до 630 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Lixinc Electronics Весь мир	HGTG18N120BN ON Semiconductor	от 496 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	HGTG18N120BN Fairchild	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	HGTG18N120BN Fairchild	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	HGTG18N120BN ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, 1200 В, 36 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HGTG18N120BN
Data Sheet December 2001
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
The HGTG18N120BN is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design.

This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors. Formerly Developmental Type TA49288.
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: NPT
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 390 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: TO-247
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Max Current Ic Continuous a: 54 А
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 390 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5