Datasheet SGF5N150UFTU - Fairchild Даташит IGBT, 1500 В, 5 А — Даташит

Купить SGF5N150UFTU на РадиоЛоцман.Цены — от 368 до 2 455 ₽ 18 предложений от 13 поставщиков БТИЗ транзистор, 10 А, 4.7 В, 62.5 Вт, 1.5 кВ, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Lixinc Electronics Весь мир	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	368 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	467 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SGF5N150UFTU Fairchild	510 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, 1500 В, 5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGF5N150UF
IGBT
SGF5N150UF
General Description
Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.

SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 5.5 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.5kV
• Корпус транзистора: TO-3 пФ
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Max Current Ic Continuous a: 10 А
• Package / Case: TO-3 пФ
• Power Dissipation: 62.5 Вт
• SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 1500 В

RoHS: есть