Datasheet SGF5N150UFTU - Fairchild Даташит IGBT, 1500 В, 5 А — Даташит

Fairchild SGF5N150UFTU

Наименование модели: SGF5N150UFTU

Купить SGF5N150UFTU на РадиоЛоцман.Цены — от 156 до 37 876 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков БТИЗ транзистор, 10 А, 4.7 В, 62.5 Вт, 1.5 кВ, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Стандарт СИЗ Россия	SGF5N150UFTU Fujitsu-Siemens	156 ₽
Триема Россия	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	376 ₽
ChipWorker Весь мир	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	649 ₽
Flash-Turtle Весь мир	SGF5N150UFTU ON Semiconductor	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, 1500 В, 5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SGF5N150UF
IGBT
SGF5N150UF
General Description
Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.

SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 10 А
Collector Emitter Voltage Vces: 5.5 В
Power Dissipation Max: 62.5 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.5kV
Корпус транзистора: TO-3 пФ
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Max Current Ic Continuous a: 10 А
Package / Case: TO-3 пФ
Power Dissipation: 62.5 Вт
SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N
Voltage Vces: 1500 В

RoHS: есть