Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IRGPS40B120UDP - International Rectifier Даташит SINGLE IGBT, 1.2KV, 80 А — Даташит

International Rectifier IRGPS40B120UDP

Наименование модели: IRGPS40B120UDP

18 предложений от 14 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 595000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
727GS
Весь мир
IRGPS40B120UDP
Infineon
от 64 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRGPS40B120UDP
Infineon
80 ₽
ЧипСити
Россия
IRGPS40B120UDP
Infineon
80 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRGPS40B120UDP
Infineon
от 363 ₽
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: SINGLE IGBT, 1.2KV, 80 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95967
IRGPS40B120UDP
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· Non Punch Through IGBT Technology.

· Low Diode VF. · 10µs Short Circuit Capability. · Square RBSOA. · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. · Positive VCE (on) Temperature Coefficient. · Super-247 Package. · Lead-Free

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 80 А
  • Collector Emitter Voltage, Vces: 1.2kV
  • Power Dissipation, Pd: 595 Вт
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRGPS40B120UDP - International Rectifier SINGLE IGBT, 1.2KV, 80 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка