Datasheet NTE3320 - NTE Electronics Даташит SINGLE IGBT, 600 В, 50 А — Даташит

NTE Electronics NTE3320

Наименование модели: NTE3320

Купить NTE3320 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 479 до 188 657 ₽ 9 предложений от 5 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
AllElco Electronics Весь мир	NTE3320	от 1 479 ₽
ЧипСити Россия	NTE3320 NTE Electronics	2 075 ₽
AiPCBA Весь мир	NTE3320 NTE Electronics	2 208 ₽
ТаймЧипс Россия	NTE3320 NTE Electronics	по запросу

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: SINGLE IGBT, 600 В, 50 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Features: D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Gate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Collector Current, IC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 50 А
Collector Emitter Voltage, Vces: 600 В
Power Dissipation, Pd: 200 Вт
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 600 В
Количество выводов: 3

RoHS: есть