Datasheet NTE3322 - NTE Electronics Даташит SINGLE IGBT, 900 В, 60 А — Даташит

Купить NTE3322 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 630 до 254 178 ₽ 11 предложений от 7 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
ChipWorker Весь мир	NTE3322 NTE Electronics	1 630 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE3322	от 1 970 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE3322	254 178 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE3322	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: SINGLE IGBT, 900 В, 60 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL
Features: D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Gate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±25V Collector Current, IC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A Emitter-Collector Foward Current, IEC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 60 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 900 В
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900 В
• Количество выводов: 3

RoHS: есть