Datasheet SKM200GB12V - Semikron Даташит IGBT Module — Даташит
Наименование модели: SKM200GB12V
![]() 11 предложений от 9 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 311 А, 1.75 В, 175 °C, Module | |||
SKM200GB12V Semikron | 15 180 ₽ | ||
SKM200GB12V Semikron | 16 787 ₽ | ||
SKM200GB12V | по запросу | ||
SKM200GB12V | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT Module
Спецификации:
- DC Collector Current: 304 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.9 В
- Количество выводов: 7
- Package/Case: SEMITRANS 3
RoHS: есть