Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SKM200GB12V - Semikron Даташит IGBT Module — Даташит

Semikron SKM200GB12V

Наименование модели: SKM200GB12V

11 предложений от 9 поставщиков
БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 311 А, 1.75 В, 175 °C, Module
ChipWorker
Весь мир
SKM200GB12V
Semikron
15 902 ₽
SKM200GB12V
по запросу
Augswan
Весь мир
SKM200GB12V
Semikron
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SKM200GB12V_1106
Semikron
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT Module

Спецификации:

  • DC Collector Current: 304 А
  • Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.9 В
  • Количество выводов: 7
  • Package/Case: SEMITRANS 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SKM200GB12V - Semikron IGBT Module

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка