Datasheet STGY50NC60WD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 19 А MAX247 — Даташит
Наименование модели: STGY50NC60WD
![]() 26 предложений от 17 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 278000mW 3Pin(3+Tab) Max247 Tube | |||
STGY50NC60WD STMicroelectronics | от 286 ₽ | ||
STGY50NC60WD STMicroelectronics | от 925 ₽ | ||
STGY50NC60WD STMicroelectronics | 1 898 ₽ | ||
STGY50NC60WD STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, N 600 В 19 А MAX247
Краткое содержание документа:
STGY50NC60WD
50 A, 600 V, ultra fast IGBT
Features
Very high frequency operation Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
2 3
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 110 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Power Dissipation Max: 278 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: Max-247
- Current Ic Continuous a Max: 65 А
- Package / Case: Max-247
- Power Dissipation: 260 Вт
- Power Dissipation Pd: 260 Вт
- Pulsed Current Icm: 250 А
- Rise Time: 17 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть