Datasheet GA200SA60UP - Vishay Даташит SINGLE IGBT, 600 В, 200 А — Даташит

Купить GA200SA60UP на РадиоЛоцман.Цены — от 2 014 до 15 400 ₽ 20 предложений от 20 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GA200SA60UP IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 1.92V, 500W, 600V, SOT-227
Romstore Россия, Беларусь	GA200SA60UP	4 228 ₽	Купить
ЭИК Россия	VS-GA200SA60UP Vishay	4 918 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	GA200SA60UP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	VS-GA200SA60UP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: SINGLE IGBT, 600 В, 200 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GA200SA60UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
FEATURES
· Ultrafast: Optimized for minimum saturation voltage and speed up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · Fully isolate package (2500 VAC/RMS) · Very low internal inductance ( 5 nH typical) · Industry standard outline · UL approved file E78996 · Compliant to RoHS directive 2002/95/EC · Designed and qualified for industrial level

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 600 В
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

RoHS: есть