Datasheet IRG7PH35UD1-EP - International Rectifier Даташит INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR — Даташит

Купить IRG7PH35UD1-EP на РадиоЛоцман.Цены — от 72 до 763 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Maybo Весь мир	IRG7PH35UD1-EP Infineon	72 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRG7PH35UD1-EP Infineon	242 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRG7PH35UD1-EP International Rectifier	331 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IRG7PH35UD1-EP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
• Power Dissipation, Pd: 179 мВт
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

IRG7PH35UD1EP, IRG7PH35UD1 EP