Datasheet STGE50NC60WD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 50 А ISOTOP — Даташит

Купить STGE50NC60WD на РадиоЛоцман.Цены — от 995 до 2 457 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 260000mW 4Pin ISOTOP Tube
ЧипСити Россия	STGE50NC60WD STMicroelectronics	1 756 ₽	Купить
IC Home Весь мир	STGE50NC60WD STMicroelectronics	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STGE50NC60WD	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STGE50NC60WD STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, N 600 В 50 А ISOTOP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGE50NC60WD
N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT
Features
Type STGE50NC60WD
VCES 600V

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT Module
• DC Collector Current: 100 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Power Dissipation Max: 260 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Package / Case: ISOTOP
• Power Dissipation: 260 Вт
• Power Dissipation Pd: 260 Вт
• Pulsed Current Icm: 250 А
• Rise Time: 17 нс
• Termination Type: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459