Datasheet STGF10NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: STGF10NB60SD
![]() 39 предложений от 21 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp | |||
STGF10NB60SD STMicroelectronics | от 118 ₽ | ||
STGF10NB60SD STMicroelectronics | 194 ₽ | ||
STGF10NB60SD STMicroelectronics | от 298 ₽ | ||
STGF10NB60SD STMicroelectronics | от 345 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, TO-220FP
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 20 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
- Power Dissipation Max: 25 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Current Ic Continuous a Max: 20 А
- Package / Case: TO-220FP
- Power Dissipation: 25 Вт
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Pulsed Current Icm: 100 А
- Rise Time: 460 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLPG 02