Datasheet STGW20NC60VD - STMicroelectronics Даташит IGBT, 600 В, 20 А, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STGW20NC60VD
![]() 43 предложений от 21 поставщиков STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |||
STGW20NC60VD STMicroelectronics | 96 ₽ | ||
STGW20NC60VD STMicroelectronics | 272 ₽ | ||
STGW20NC60VD-VB | 283 ₽ | ||
STGW20NC60VD STMicroelectronics | от 287 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, 600 В, 20 А, TO-247
Краткое содержание документа:
STGW20NC60VD
N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESHTM IGBT
Table 1: General Features
TYPE STGW20NC60VD
s s
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 60 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Current Ic @ Vce Sat: 20 А
- Current Ic Continuous a Max: 60 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 75 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Min: -55°C
- Package / Case: TO-247
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 100 А
- Rise Time: 11.5 нс
- SMD Marking: .
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5