Datasheet STGW35NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STGW35NB60SD
![]() 15 предложений от 13 поставщиков STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |||
STGW35NB60SD STMicroelectronics | 230 ₽ | ||
STGW35NB60SD STMicroelectronics | 455 ₽ | ||
STGW35NB60SD STMicroelectronics | от 1 023 ₽ | ||
STGW35NB60SD STMicroelectronics | 2 531 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, TO-247
Краткое содержание документа:
STGW35NB60SD
N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESHTM IGBT
General features
Type STGW35NB60SD
VCES 600V
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 70 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Current Ic Continuous a Max: 70 А
- Package / Case: TO-247
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 250 А
- Rise Time: 70 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02