Datasheet IXGR32N170H1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXGR32N170H1
![]() 14 предложений от 12 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170H1 IGBT Single Transistor, Isolated, 26A, 3.5V, 200W, 1.7kV, TO-247AD, 3Pins | |||
IXGR32N170H1 IXYS | 2 365 ₽ | ||
IXGR32N170H1 IXYS | 3 216 ₽ | ||
IXGR32N170H1 IXYS | от 7 510 ₽ | ||
IXGR32N170H1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
Advance Technical Information
High Voltage IGBT with Diode
Electrically Isolated Tab
IXGR 32N170AH1
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 26 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 38 А
- Fall Time tf: 250 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Rise Time: 250 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть